政策背景與目的

深圳市光明區(qū)人民政府于2024年8月26日發(fā)布了《深圳市光明區(qū)關(guān)于支持新型儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展的若干措施》。這項(xiàng)政策旨在加快光明區(qū)新型儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，推動(dòng)儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)成為光明區(qū)超千億級(jí)的戰(zhàn)略性支柱產(chǎn)業(yè)。政策涵蓋了從鋰離子電池、鈉離子電池、鈉鹽電池、液流電池到半固態(tài)/固態(tài)電池等多種先進(jìn)電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)路線，以及氫制取、氫儲(chǔ)運(yùn)、燃料電池等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)的支持。此外，還包括了對(duì)光伏建筑一體化（BIPV）、光儲(chǔ)充一體化、光儲(chǔ)直柔等示范項(xiàng)目的鼓勵(lì)，以及對(duì)符合條件示范項(xiàng)目的財(cái)政資助。

政策重點(diǎn)支持領(lǐng)域

政策重點(diǎn)支持的領(lǐng)域包括但不限于以下幾個(gè)方面：

1. 電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)：涉及鋰離子電池、鈉離子電池、鈉鹽電池、液流電池、半固態(tài)/固態(tài)電池等新型材料的研發(fā)、工藝裝備、電芯模組、儲(chǔ)能變流器（PCS）、電池管理系統(tǒng)（BMS）、能量管理系統(tǒng)（EMS）等。

2. 芯片技術(shù)：包括絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）、數(shù)字信號(hào)處理（DSP）等關(guān)鍵元器件。

3. 儲(chǔ)能系統(tǒng)的集成與應(yīng)用：涵蓋儲(chǔ)能系統(tǒng)集成、安全預(yù)警與狀態(tài)估計(jì)、高效滅火及防復(fù)燃等，以及在微電網(wǎng)儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心備用電源、5G基站備用電源、戶用儲(chǔ)能等方面的建設(shè)運(yùn)營(yíng)。

4. 市場(chǎng)服務(wù)：包括虛擬電廠、共享儲(chǔ)能、儲(chǔ)能大數(shù)據(jù)等服務(wù)，以及電池回收與綜合利用（梯次利用、再生利用）。

5. 示范應(yīng)用項(xiàng)目：如光儲(chǔ)一體、電化學(xué)儲(chǔ)能、氫能在內(nèi)的多元場(chǎng)景示范應(yīng)用項(xiàng)目。

政策具體措施

1. 財(cái)政資助：對(duì)于符合條件的示范項(xiàng)目，根據(jù)實(shí)際投資的20%，給予最高500萬元的資助。

2. 技術(shù)創(chuàng)新支持：對(duì)于獲得國(guó)家級(jí)或省級(jí)主管部門認(rèn)定的平臺(tái)，按實(shí)際獲得的資助金額的一定比例給予額外資助。

3. 國(guó)際市場(chǎng)認(rèn)證支持：對(duì)于取得國(guó)際市場(chǎng)準(zhǔn)入認(rèn)證的企業(yè)，按項(xiàng)目費(fèi)用的實(shí)際發(fā)生額的25%，給予最高250萬元的資助。

4. 技術(shù)改造支持：對(duì)于實(shí)施技術(shù)改造的項(xiàng)目，根據(jù)固定資產(chǎn)投資的百分比，給予最高3000萬元的資助。

5. 產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展支持：鼓勵(lì)企業(yè)與高校、科研機(jī)構(gòu)合作，開展研發(fā)和技術(shù)攻關(guān)，并對(duì)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)給予資助。

   
   

深圳市光明區(qū)的這項(xiàng)政策是一項(xiàng)全面的、多方位的支持措施，旨在通過財(cái)政資助、技術(shù)創(chuàng)新支持、國(guó)際市場(chǎng)認(rèn)證支持、技術(shù)改造支持和產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展支持等多方面的舉措，推動(dòng)新型儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)在光明區(qū)的快速發(fā)展和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。這些措施的實(shí)施將有助于提升光明區(qū)在全球新能源產(chǎn)業(yè)中的競(jìng)爭(zhēng)力，并為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和碳中和目標(biāo)做出貢獻(xiàn)。